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                刻蝕的基礎知識

                何謂蝕刻(Etch)? 

                  答:將形成在晶圓表面上的薄膜全部,或特定處所去除至必要厚度的制程。 

                蝕刻種類?

                  答:(1) 干蝕刻(2) 濕蝕刻 

                蝕刻對象依薄膜種類可分為?

                  答:poly,oxide, metal 

                半導體中一般金屬導線材質為何? 

                  答:鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu) 

                何謂 dielectric 蝕刻(介電質蝕刻)? 

                  答:Oxide etch and nitride etch 

                半導體中一般介電質材質為何? 

                  答:氧化硅/氮化硅 

                何謂濕式蝕刻? 

                  答:利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除 

                何謂電漿 Plasma? 

                  答:電漿是物質的第四狀態.帶有正,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負離子,中性分子,活性基及發散光子等,產生電漿的方法可使用高溫或高電壓. 

                何謂干式蝕刻? 

                  答:利用plasma將不要的薄膜去除 

                何謂Under-etching(蝕刻不足)? 

                  答:系指被蝕刻材料,在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留 

                何謂Over-etching(過蝕刻 ) ?

                  答:蝕刻過多造成底層被破壞 

                何謂Etch rate(蝕刻速率) ?

                  答:單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度 

                何謂Seasoning(陳化處理) ? 

                  答:是在蝕刻室的清凈或更換零件后,為要穩定制程條件,使用仿真(dummy) 晶圓進行數次的蝕刻循環。 

                Asher的主要用途?

                  答:光阻去除 

                Wet bench dryer 功用為何? 

                  答:將晶圓表面的水份去除 

                列舉目前Wet bench dry方法?

                  答:(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry 

                何謂 Spin Dryer ?

                  答:利用離心力將晶圓表面的水份去除 

                何謂 Maragoni Dryer ?

                  答:利用表面張力將晶圓表面的水分去除 

                何謂 IPA Vapor Dryer ?

                  答:利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除 

                測Particle時,使用何種測量儀器? 

                  答:Tencor Surfscan 

                測蝕刻速率時,使用何者量測儀器? 

                  答:膜厚計,測量膜厚差值 

                何謂 AEI? 

                  答:After Etching Inspection 蝕刻后的檢查 

                AEI目檢Wafer須檢查哪些項目?

                  答:(1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及Particle (3)刻號是否正確 。

                金屬蝕刻機臺轉非金屬蝕刻機臺時應如何處理? 

                  答:清機防止金屬污染問題 

                金屬蝕刻機臺asher的功用為何? 

                  答:去光阻及防止腐蝕 

                金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進行清洗? 

                  答:因為金屬線會溶于硫酸中 

                "Hot Plate"機臺是什幺用途? 

                  答:烘烤 

                Hot Plate 烘烤溫度為何? 

                  答:90~120 度C 

                何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體? 

                  答:Cl2, HBr, HCl 

                用于Al 金屬蝕刻的主要氣體為? 

                  答:Cl2, BCl3 

                用于W金屬蝕刻的主要氣體為? 

                  答:SF6 

                何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體? 

                  答:C4F8, C5F8, C4F6 

                硫酸槽的化學成份為?

                  答:H2SO4/H2O2 

                AMP槽的化學成份為: 

                  答:NH4OH/H2O2/H2O?

                UV curing 是什幺用途? 

                  答:利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強度 

                "UV curing"用于何種層次? 

                  答:金屬層 

                何謂EMO? 

                  答:機臺緊急開關 

                EMO作用為何? 

                  答:當機臺有危險發生之顧慮或已不可控制,可緊急按下 

                濕式蝕刻門上貼有那些警示標示? 

                  答:(1) 警告.內部有嚴重危險.嚴禁打開此門 (2) 機械手臂危險. 嚴禁打開此門 (3) 化學藥劑危險. 嚴禁打開此門 

                遇化學溶液泄漏時應如何處置? 

                  答:嚴禁以手去測試漏出之液體. 應以酸堿試紙測試. 并尋找泄漏管路. 

                遇 IPA 槽著火時應如何處置?? 

                  答:立即關閉IPA 輸送管路并以機臺之滅火器滅火及通知緊急應變小組 

                BOE槽之主成份為何? 

                  答:HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨). 

                BOE為那三個英文字縮寫 ? 

                  答:Buffered Oxide Etcher 。 

                有毒氣體之閥柜(VMB)功用為何? 

                  答:當有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出 

                電漿的頻率一般13.56 MHz,為何不用其它頻率? 

                  答:為避免影響通訊品質,目前只開放特定頻率,作為產生電漿之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等 

                何謂ESC(electrical static chuck) ?

                  答:利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板 (Substrate) 上 

                Asher主要氣體為 ?

                  答:O2 

                Asher機臺進行蝕刻最關鍵之參數為何? 

                  答:溫度 

                簡述TURBO PUMP 原理 ?

                  答:利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR 

                熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何? 

                  答:將熱能經由介媒傳輸,以達到溫度控制之目地 

                簡述BACKSIDE HELIUM COOLING之原理? 

                  答:藉由氦氣之良好之熱傳導特性,能將芯片上之溫度均勻化 

                ORIENTER 之用途為何?  

                  答:搜尋notch邊,使芯片進反應腔的位置都固定,可追蹤問題 

                簡述EPD之功用 ?

                  答:偵測蝕刻終點;End point detector利用波長偵測蝕刻終點 

                何謂MFC? 

                  答:mass flow controler氣體流量控制器;用于控制 反應氣體的流量 

                GDP 為何? 

                  答:氣體分配盤(gas distribution plate) 

                GDP 有何作用? 

                  答:均勻地將氣體分布于芯片上方 

                何謂 isotropic etch? 

                  答:等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率均等 

                何謂 anisotropic etch? 

                  答:非等向性蝕刻;側壁側向蝕刻的機率少 

                何謂 etch 選擇比? 

                  答:不同材質之蝕刻率比值 

                何謂AEI CD? 

                  答:蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension) 

                何謂CD bias? 

                  答:蝕刻CD減蝕刻前黃光CD 

                簡述何謂田口式實驗計劃法? 

                  答:利用混合變因安排輔以統計歸納分析 

                何謂反射功率? 

                  答:蝕刻過程中,所施予之功率并不會完全地被反應腔內接收端所接受,會有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率 

                Load Lock 之功能為何? 

                  答:Wafers經由loadlock后再進出反應腔,確保反應腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響. 

                廠務供氣系統中何謂 Bulk Gas ? 

                  答:Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等. 

                廠務供氣系統中何謂Inert Gas? 

                  答:Inert Gas 為一些特殊無強烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等. 

                廠務供氣系統中何謂Toxic Gas ? 

                  答:Toxic Gas 為具有強烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等. 

                機臺維修時,異常告示排及機臺控制權應如何處理? 

                  答:將告示牌切至異常且將機臺控制權移至維修區以防有人誤動作 

                冷卻器的冷卻液為何功用 ? 

                  答:傳導熱 

                Etch之廢氣有經何種方式處理 ? 

                  答:利用水循環將廢氣溶解之后排放至廢酸槽 

                何謂RPM? 

                  答:即Remote Power Module,系統總電源箱. 

                火災異常處理程序 

                  答:(1) 立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下EMO停止機臺. (4) 關閉 VMB Valve 并通知廠務. (5) 撤離. 

                一氧化碳(CO)偵測器警報異常處理程序 ?

                  答:(1) 警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關閉 VMB 閥,并通知廠務. (4) 進行測漏. 

                高壓電擊異常處理程序 ?

                  答:(1) 確認安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員

                T/C (傳送Transfer Chamber) 之功能為何 ? 

                  答:提供一個真空環境, 以利機器手臂在反應腔與晶舟間傳送 Wafer,節省時間. 

                機臺PM時需佩帶面具否 ?

                  答:是,防毒面具 

                機臺停滯時間過久run貨前需做何動作? 

                  答:Seasoning(陳化處理) 

                何謂日常測機 

                  答:機臺日常檢點項目, 以確認機臺狀況正常 

                何謂WAC (Waferless Auto Clean) ?

                  答:無wafer自動干蝕刻清機 

                何謂Dry Clean ?

                  答:干蝕刻清機 

                日常測機量測etch rate之目的何在? 

                  答:因為要蝕刻到多少厚度的film,其中一個重要參數就是蝕刻率 

                操作酸堿溶液時,應如何做好安全措施? 

                  答:(1) 穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護目鏡(2) 操作區備有清水與水管以備不時之需(3) 操作區備有吸酸棉及隔離帶 

                如何讓chamber達到設定的溫度? 

                  答:使用heater 和 chiller 

                Chiller之功能為何? 

                  答:用以幫助穩定chamber溫度 

                如何在chamber建立真空? 

                  答:(1) 首先確立chamber parts組裝完整(2) 以dry pump作第一階段的真空建立(3)當圧力到達100mTD寺再以turbo pump 抽真空至1mT以下 

                真空計的功能為何? 

                  答:偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下 process 

                Transfer module 之robot 功用為何? 

                  答:將wafer 傳進chamber與傳出chamber之用 

                何謂MTBC? (mean time between clean) ?

                  答:上一次wet clean 到這次wet clean 所經過的時間 

                RF Generator 是否需要定期檢驗? 

                  答:是需要定期校驗;若未校正功率有可能會變化;如此將影響電漿的組成 

                為何需要對etch chamber溫度做監控? 

                  答:因為溫度會影響制程條件;如etching rate/均勻度 

                為何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)? 

                  答:因為氣壓若太大會造成pump 負荷過大;造成pump 跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run貨品質 

                為何要做漏率測試? (Leak rate ) 

                  答: (1) 在PM后PUMP Down 1~2小時后;為確保chamber Run 貨時,無大氣進入chamble 影響chamber GAS 成份(2) 在日常測試時,為確保chamber 內來自大氣的泄漏源,故需測漏 

                機臺發生Alarm時應如何處理? 

                  答:(1) 若為火警,立即圧下EMO(緊急按鈕),并滅火且通知相關人員與主管(2) 若是一般異常,請先檢查alarm 訊息再判定異常原因,進而解決問題,若未能處理應立即通知主要負責人 

                蝕刻機臺廢氣排放分為那幾類? 

                  答:一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放 

                干式蝕刻機臺分為那幾個部份? 

                  答:(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系統 (5) GAS system (6) RF system 


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